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MJF2955G	文件：120.98 Kbytes Page：5 Pages	Complementary Silicon Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJF2955G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 90V 10A TO220FP	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMFT2955E	文件：178.44 Kbytes Page：10 Pages	TMOSMEDIUMPOWERFET1.2AMP60VOLTS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MMFT2955E	文件：209.01 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MSU2955	文件：71.36 Kbytes Page：1 Pages	8-BitMicro-controller 8-BitMicro-controllerwith16KBflashembedded	MOSELMOSEL VETELIC INC. 茂矽电子台湾茂矽电子股份有限公司	MOSEL
MTD2955E	文件：243.69 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.3OHM TMOSE-FET™PowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMountP–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecovery	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTD2955E	文件：346.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTD2955E	文件：213.25 Kbytes Page：11 Pages	PowerFieldEffect	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTD2955V	文件：148.72 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.230OHM TMOSV™PowerFieldEffectTransistorDPAKForSurfaceMountP–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and6	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTD2955V	文件：380.7 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. TheseMOSFETsfeaturefasterswitchingandlowergatechargethanotherMOSFETswithcomparableRDS(O	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

产品属性

产品编号：
MJF2955G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 3.3A，10A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 4A，4V
频率 - 跃迁：
2MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220FP
描述：
TRANS PNP 90V 10A TO220FP

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