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MMFT2955E	文件：178.44 Kbytes Page：10 Pages	TMOS MEDIUM POWER FET 1.2 AMP 60 VOLTS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MMFT2955E	文件：209.01 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMFT2955ET1	文件：209.01 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMFT2955ET1G	文件：209.01 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMFT2955ET3	文件：209.01 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MSU2955	文件：71.36 Kbytes Page：1 Pages	8-BitMicro-controller 8-BitMicro-controllerwith16KBflashembedded	MOSELMOSEL VETELIC INC. 茂矽电子台湾茂矽电子股份有限公司	MOSEL
MTD2955E	文件：243.69 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.3OHM TMOSE-FET™PowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMountP–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecovery	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTD2955E	文件：346.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTD2955E	文件：213.25 Kbytes Page：11 Pages	PowerFieldEffect	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTD2955V	文件：148.72 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.230OHM TMOSV™PowerFieldEffectTransistorDPAKForSurfaceMountP–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and6	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

详细参数

型号：
MMFT2955E
制造商：
MOTOROLA
制造商全称：
Motorola, Inc
功能描述：
TMOS MEDIUM POWER FET 1.2 AMP 60 VOLTS

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