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MMG2401NR2

Indium Gallium Phosphorus HBT - WLAN Power Amplifier

Indium Gallium Phosphorus HBT WLAN Power Amplifier Designed for 802.11g and dual mode applications with frequencies from 2400 to 2500 MHz. Designed for 802.11g and dual mode applications with frequencies from 2400 to 2500 MHz. • 26.5 dBm P1dB @ 2450 MHz • Power Gain: 27.5 dB Typ (@ f = 2450 M

文件:172.41 Kbytes 页数:12 Pages

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MMG2401NR2

Indium Gallium Phosphorus HBT

Indium Gallium Phosphorus HBT WLAN Power Amplifier Designed for 802.11g and dual mode applications with frequencies from 2400 to 2500 MHz. • 26.5 dBm P1dB @ 2450 MHz • Power Gain: 27.5 dB Typ (@ f = 2450 MHz, Class AB) • High Gain, High Efficiency and High Linearity • EVM = 3 Typ @ Pout = +1

文件:468.49 Kbytes 页数:12 Pages

恩XP

恩XP

MMG3004NT1

FREESCALE
QFN12

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳市易芯易电子科技有限公司

MMG3006NT1

Freescale
QFN16

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳市翔睿腾科技有限公司

MMH0026CP1

ON
DIP-8

ON

详细参数

  • 型号:

    MMG2401NR2

  • 功能描述:

    IC RF POWER AMP WLAN 12-QFN

  • RoHS:

  • 类别:

    RF/IF 和 RFID >> RF 放大器

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    3,000

  • 频率:

    100MHz ~ 6GHz

  • P1dB:

    9.14dBm(8.2mW)

  • 增益:

    15.7dB

  • 噪音数据:

    1.3dB RF

  • 型:

    CDMA,TDMA,PCS

  • 电源电压:

    2.7 V ~ 5 V 电流 -

  • 电源:

    60mA

  • 测试频率:

    2GHz

  • 封装/外壳:

    0505(1412 公制)

  • 包装:

    带卷(TR)

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更多MMG2401NR2供应商 更新时间2025-10-10 20:55:00