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MMG3010NT1

Heterojunction Bipolar Transistor (InGaP HBT)

0-6000MHz,15dB17dBmInGaPHBT TheMMG3010NT1isaGeneralPurposeAmplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small-signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom0to6000MH

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

MMG3010NT1

Heterojunction Bipolar Transistor (InGaP HBT)

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MMG3010NT1_08

Heterojunction Bipolar Transistor (InGaP HBT)

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详细参数

  • 型号:

    MMG3010NT1

  • 功能描述:

    射频放大器 15DBM 15DB GAIN GPA

  • RoHS:

  • 制造商:

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 类型:

    Low Noise Amplifier

  • 工作频率:

    2.3 GHz to 2.8 GHz

  • P1dB:

    18.5 dBm

  • 输出截获点:

    37.5 dBm

  • 功率增益类型:

    32 dB

  • 噪声系数:

    0.85 dB

  • 工作电源电压:

    5 V

  • 电源电流:

    125 mA

  • 测试频率:

    2.6 GHz

  • 最大工作温度:

    + 85 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    QFN-16

  • 封装:

    Reel

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更多MMG3010NT1供应商 更新时间2025-7-18 17:56:00