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MMG3011NT1	文件：305.43 Kbytes Page：15 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor (InGaP HBT) 0--6000MHz,15dB15dBmInGaPHBT TheMMG3011NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom0to6000	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
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MMG3011NT1

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Heterojunction Bipolar Transistor (InGaP HBT)

0--6000MHz,15dB15dBmInGaPHBT TheMMG3011NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom0to6000

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Heterojunction Bipolar Transistor

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详细参数

型号：
MMG3011NT1
功能描述：
射频放大器 12DBM 15DBGAIN GPA SOT89
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
类型：
Low Noise Amplifier
工作频率：
2.3 GHz to 2.8 GHz
P1dB：
18.5 dBm
输出截获点：
37.5 dBm
功率增益类型：
32 dB
噪声系数：
0.85 dB
工作电源电压：
5 V
电源电流：
125 mA
测试频率：
2.6 GHz
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
封装：
Reel

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更多MMG3011NT1供应商更新时间2025-7-17 16:29:00

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