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MMG3014NT1	文件：356.37 Kbytes Page：17 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) 40-4000MHz,19.5dB25dBmInGaPHBT TheMMG3014NT1isaGeneralPurposeAmplifierthatisinternallyinputmatchedandinternallyoutputprematched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small-signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfreq	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
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MMG3014NT1

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Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

40-4000MHz,19.5dB25dBmInGaPHBT TheMMG3014NT1isaGeneralPurposeAmplifierthatisinternallyinputmatchedandinternallyoutputprematched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small-signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfreq

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Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

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详细参数

型号：
MMG3014NT1
功能描述：
射频放大器 24DBM RF GenPurp Amp InGaP HBT
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
类型：
Low Noise Amplifier
工作频率：
2.3 GHz to 2.8 GHz
P1dB：
18.5 dBm
输出截获点：
37.5 dBm
功率增益类型：
32 dB
噪声系数：
0.85 dB
工作电源电压：
5 V
电源电流：
125 mA
测试频率：
2.6 GHz
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
封装：
Reel

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