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MJL21194G

200 Watt Silicon Epitaxial Planar NPN Type Power Transistor

DESCRIPTION ·With TO-3PL-SQ(TO-3PBL/TO-3BPL) pkg ·Complement to type MJL21193G APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommended for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage

文件:2.236 Mbytes 页数:6 Pages

THINKISEMI

思祁半导体

MJL21194G

16 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 VOLTS, 200 WATTS

文件:152.31 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJL21194G

Silicon Power Transistors

文件:132.79 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJL21194G

Silicon Power Transistors

文件:122.36 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJL21194G

isc Silicon NPN Power Transistor

文件:150.37 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

MJL21194G

Package:TO-264-3,TO-264AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 250V 16A TO264

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    MJL21194G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    4V @ 3.2A,16A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    25 @ 8A,5V

  • 频率 - 跃迁:

    4MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-264-3,TO-264AA

  • 供应商器件封装:

    TO-264

  • 描述:

    TRANS NPN 250V 16A TO264

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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onsemi(安森美)
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TO-264-3
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更多MJL21194G供应商 更新时间2026-2-9 13:52:00