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MJD45H11-1G	文件：132.18 Kbytes Page：9 Pages	Complementary Power Transistors ComplementaryPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationin	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD45H11-1G	文件：310.51 Kbytes Page：11 Pages	Complementary Power Transistors Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputor driverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters, andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationinPlasticSleeves (NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD45H11-1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 80V 8A IPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD45H11-1	文件：192.88 Kbytes Page：6 Pages	SILICONPOWERTRANSISTORS8AMPERES80VOLTS20WATTS ComplementaryPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications ...forgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andpoweramplifiers. •LeadFormedforSurfaceMountApplicationinPlasticS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola

产品属性

产品编号：
MJD45H11-1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 400mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 4A，1V
频率 - 跃迁：
90MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：
I-PAK
描述：
TRANS PNP 80V 8A IPAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市诚中源科技有限公司	MJD45H11-1G	ON	21+	TO-251	25000		询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	MJD45H11-1G	onsemi	23+	TO-251-3 短引线,IPak,TO-251A	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	MJD45H11-1G	onsemi(安森美)	23+	TO-251	959	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
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更多MJD45H11-1G供应商更新时间2024-4-27 14:00:00

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