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MJD45H11-1G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

MJD45H11-1G
厂商型号

MJD45H11-1G

参数属性

MJD45H11-1G 封装/外壳为TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 80V 8A IPAK

功能描述

Complementary Power Transistors
TRANS PNP 80V 8A IPAK

封装外壳

TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

文件大小

132.18 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-31 23:01:00

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MJD45H11-1G规格书详情

MJD45H11-1G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体公司制造生产的MJD45H11-1G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

Complementary Power Transistors

DPAK For Surface Mount Applications

Designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters, and power amplifiers.

特性 Features

• Lead Formed for Surface Mount Application in Plastic Sleeves

(No Suffix)

• Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“−1” Suffix)

• Electrically Similar to Popular D44H/D45H Series

• Low Collector Emitter Saturation Voltage −

VCE(sat) = 1.0 Volt Max @ 8.0 A

• Fast Switching Speeds

• Complementary Pairs Simplifies Designs

• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in

• ESD Ratings: Human Body Model, 3B 8000 V

Machine Model, C 400 V

• NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101

Qualified and PPAP Capable

• These are Pb−Free Packages*

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MJD45H11-1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 400mA,8A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 4A,1V

  • 频率 - 跃迁:

    90MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

  • 供应商器件封装:

    I-PAK

  • 描述:

    TRANS PNP 80V 8A IPAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
三年内
1983
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