MJD45H11分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

厂商型号	MJD45H11
参数属性	MJD45H11 封装/外壳为TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 80V 8A IPAK
功能描述	isc Silicon PNP Power Transistors
封装外壳	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
文件大小	262.93 Kbytes
页面数量	3 页
生产厂商	ISC
中文名称	无锡固电
网址	网址
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更新时间	2025-12-7 14:10:00
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MJD45H11规格书详情

DESCRIPTION

• Low Collector-Emitter Saturation Voltage : VCE(sat)= 1.0V(Max)@ IC = 8A

• Fast Switching Speeds

• Complement to Type MJD44H11

• DPAK for Surface Mount Applications

• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

APPLICATIONS

• Designed for general pourpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators,converters and power amplifier.

产品属性

产品编号：
MJD45H11-1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 400mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 4A，1V
频率 - 跃迁：
90MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：
I-PAK
描述：
TRANS PNP 80V 8A IPAK

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