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MJD44H11T5分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

MJD44H11T5
厂商型号

MJD44H11T5

参数属性

MJD44H11T5 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 80V 8A DPAK

功能描述

SILICON POWER TRANSISTORS
TRANS NPN 80V 8A DPAK

文件大小

192.88 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-8 8:24:00

MJD44H11T5规格书详情

Designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters, and power amplifiers.

Features

• Pb−Free Packages are Available

• Lead Formed for Surface Mount Application in Plastic Sleeves

(No Suffix)

• Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“−1” Suffix)

• Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel for Surface Mount

(“T4” Suffix)

• Electrically Similar to Popular D44H/D45H Series

• Low Collector Emitter Saturation Voltage −

VCE(sat) = 1.0 Volt Max @ 8.0 Amperes

• Fast Switching Speeds

• Complementary Pairs Simplifies Designs

• Epoxy Meets UL 94, V−0 @ 0.125 in

• ESD Ratings: Human Body Model, 3B > 8000 V

Machine Model, C > 400 V

MJD44H11T5属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。安森美半导体公司制造生产的MJD44H11T5晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

  • 产品编号:

    MJD44H11T5

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 400mA,8A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 4A,1V

  • 频率 - 跃迁:

    85MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 8A DPAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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