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MJD44H11T4-A分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

MJD44H11T4-A
厂商型号

MJD44H11T4-A

参数属性

MJD44H11T4-A 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 8A DPAK

功能描述

Complementary power transistors
TRANS NPN 80V 8A DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

文件大小

215.43 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-23 22:59:00

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MJD44H11T4-A规格书详情

MJD44H11T4-A属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由意法半导体集团制造生产的MJD44H11T4-A晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

MJD44H11T4-A MJD44H11 --> NPN

MJD45H11T4-A MJD45H11 --> PNP

Description

The devices are manufactured in low voltage multi epitaxial planar technology. They are intended for general purpose linear and switching applications.

Features

■ The devices are qualified for automotive application

■ Low collector-emitter saturation voltage

■ Fast switching speed

■ Surface-mounting TO-252 (DPAK) power package in tape and reel (suffix T4)

Applications

■ Power amplifier

■ Switching circuits

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MJD44H11T4-A

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 400mA,8A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 4A,1V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 8A DPAK

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