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MJ2955G	文件：71.17 Kbytes Page：4 Pages	Complementary Silicon Power Transistors 15 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60 VOLTS, 115 WATTS Complementary silicon power transistors are designed for general−purpose switching and amplifier applications. Features • DC Current Gain − hFE = 20−70 @ IC = 4 Adc • Collector−Emitter Saturation Voltage −VCE(sat 文件：71.17 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJ2955G.	文件：71.17 Kbytes Page：4 Pages	Complementary Silicon Power Transistors 15 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60 VOLTS, 115 WATTS Complementary silicon power transistors are designed for general−purpose switching and amplifier applications. Features • DC Current Gain − hFE = 20−70 @ IC = 4 Adc • Collector−Emitter Saturation Voltage −VCE(sat 文件：71.17 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJ2955G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-204AA，TO-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 15A TO204	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJ2955PNP	文件：336.47 Kbytes Page：4 Pages	SILICON PLANAR POWER TRANSISTORS General Purpose Switching and Amplifier Applications 2N3055 NPN MJ2955 PNP 文件：336.47 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
MJB2955	文件：288.11 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor 文件：288.11 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJD2955	文件：147.11 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Power Transistors MJD2955 (PNP) MJD3055 (NPN) SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 60 VOLTS, 20 WATTS DPAK For Surface Mount Applications Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. Features • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix) • Strai 文件：147.11 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MJ2955G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 3.3A，10A
电流 - 集电极截止（最大值）：
700µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 4A，4V
频率 - 跃迁：
2.5MHz
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-204（TO-3）
描述：
TRANS PNP 60V 15A TO204

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