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MJ2955G

Complementary Silicon Power Transistors

15AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS,115WATTS Complementarysiliconpowertransistorsaredesignedforgeneral−purposeswitchingandamplifierapplications. Features •DCCurrentGain−hFE=20−70@IC=4Adc •Collector−EmitterSaturationVoltage−VCE(sat

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

MJ2955G

Package:TO-204AA,TO-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 60V 15A TO204

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

MJ2955PNP

SILICONPLANARPOWERTRANSISTORS

GeneralPurposeSwitchingandAmplifierApplications 2N3055NPN MJ2955PNP

CDIL

Continental Device India Limited

MJB2955

iscSiliconPNPPowerTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

MJD2955

ComplementaryPowerTransistors

MJD2955(PNP) MJD3055(NPN) SILICONPOWERTRANSISTORS10AMPERES60VOLTS,20WATTS DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) •Strai

ONSEMION Semiconductor

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产品属性

  • 产品编号:

    MJ2955G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 3.3A,10A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    700µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 4A,4V

  • 频率 - 跃迁:

    2.5MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-204AA,TO-3

  • 供应商器件封装:

    TO-204(TO-3)

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 15A TO204

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多MJ2955G供应商 更新时间2025-7-30 11:37:00