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PBSS2515	文件：69.97 Kbytes Page：12 Pages	15VlowVCEsatNPNdoubletransistor DESCRIPTION NPNlowVCEsatdoubletransistorinaSOT666plasticpackage. PNPcomplement:PBSS3515VS. FEATURES •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6x1.2mmultrathinpackage •Excellentcoplanarityduetostraightleads •Lowcollector-emittersaturationvoltage •High	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS2515E	文件：242.93 Kbytes Page：13 Pages	15V,0.5ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS2515F	文件：66.92 Kbytes Page：8 Pages	15VlowVCEsatNPNtransistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSC-89(SOT490)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS3515F. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapabilities •Improvedthermalbehaviourduetoflatleads. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandmuting •Lowf	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS2515M	文件：355.63 Kbytes Page：10 Pages	15V,0.5ANPNlowVCEsat(BISS)transistor FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highefficiencyleadingtoreducedheatgeneration •Reducedprinted-circuitboardrequirements. APPLICATIONS •Powermanagement: –DC-DCconverter –Supplylineswitching –Batterycharg	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS2515MB	文件：1.14939 Mbytes Page：12 Pages	15V,0.5ANPNlowVCEsat(BISS)transistor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS2515VPN	文件：387.31 Kbytes Page：12 Pages	15VlowVCE(sat)NPN/PNPtransistor FEATURES •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6×1.2mmultrathinpackage •Excellentcoplanarityduetostraightleads •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improvedthermalbehaviourduetoflatlead •ReplacestwoSC75/SC89packagedlowVCEsattrans	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS2515VS	文件：69.97 Kbytes Page：12 Pages	15VlowVCEsatNPNdoubletransistor DESCRIPTION NPNlowVCEsatdoubletransistorinaSOT666plasticpackage. PNPcomplement:PBSS3515VS. FEATURES •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6x1.2mmultrathinpackage •Excellentcoplanarityduetostraightleads •Lowcollector-emittersaturationvoltage •High	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS2515VS	文件：201.84 Kbytes Page：9 Pages	15VlowVCEsatNPNdoubletransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsatdoubletransistorinaSOT666ultrasmallandflatleadSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS3515VS 2.Featuresandbenefits •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6x1.2mmultrathinpackage •Excellentcoplana	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS2515YPN	文件：99.38 Kbytes Page：11 Pages	15VlowVCE(sat)NPN/PNPtransistor DESCRIPTION NPN/PNPlowVCEsattransistorpairinaSC-88plasticpackage. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •ReplacestwoSC-70packagedlowVCEsattransistorson samePCBarea •ReducesrequiredPCBarea •Reducedpickandplacecosts. APP	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS2515YPN	文件：266.51 Kbytes Page：11 Pages	15VlowVCEsatNPN/PNPtransistor 1.Generaldescription NPN/PNPlowVCEsattransistorpairinaSOT363(SC-88)verysmallSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage.. 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •ReplacestwoSC-70packagedlowVCEsattransistorsonsam	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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