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KMSTA92	文件：1.23213 Mbytes Page：2 Pages	丝印：K3R；Package：SOT-323；PNP Transistors ■ Features ● Small Surface Mount Package ● Ideal for Medium Power Amplification and Switching ● Complementary to MMSTA42 文件：1.23213 Mbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
MMSTA92	文件：1.23213 Mbytes Page：2 Pages	丝印：K3R；Package：SOT-323；PNP Transistors ■ Features ● Small Surface Mount Package ● Ideal for Medium Power Amplification and Switching ● Complementary to MMSTA42 文件：1.23213 Mbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
MMSTA92	文件：1.86789 Mbytes Page：4 Pages	丝印：K3R；Package：SOT-323；SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Small Surface Mount Package Complementary to MMSTA42 Ideal for Medium Power Amplification and Switching 文件：1.86789 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
MMSTA92	文件：131.78 Kbytes Page：2 Pages	丝印：K3R；Package：SOT-323；PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Power dissipation.(PC=200mW) ● Epitaxial planar die construction. ● Complementary to MMSTA42. ● Also available in lead free version. APPLICATIONS ● General purpose application and switching application. 文件：131.78 Kbytes 页数：2 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
MMSTA92	文件：192.41 Kbytes Page：4 Pages	丝印：K3R；Package：SOT-323；PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor 文件：192.41 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
K3RG2G20BM-MGCH	文件：3.33037 Mbytes Page：28 Pages	PRODUCT SELECTION GUIDE 文件：3.33037 Mbytes 页数：28 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
K3RG3G30MM-MGCH	文件：3.33037 Mbytes Page：28 Pages	PRODUCT SELECTION GUIDE 文件：3.33037 Mbytes 页数：28 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
TK3R1A04PL	文件：497.25 Kbytes Page：9 Pages	丝印：K3R1A04PL；Package：TO-220SIS；MOSFETs Silicon N-channel MOS 1. Applications • High-Efficiency DC-DC Converters • Switching Voltage Regulators • Motor Drivers 2. Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge: QSW = 17.5 nC (typ.) (3) Small output charge: Qoss = 42 nC (typ.) (4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.5 mΩ (typ.) (VGS 文件：497.25 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK3R2A10PL	文件：626.49 Kbytes Page：9 Pages	丝印：K3R2A10PL；Package：TO-220SIS；MOSFETs Silicon N-channel MOS 1. Applications • High-Efficiency DC-DC Converters • Switching Voltage Regulators • Motor Drivers 2. Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge: QSW = 48 nC (typ.) (3) Small output charge: Qoss = 164 nC (typ.) (4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.6 mΩ (typ.) (VGS 文件：626.49 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK3R9E10PL	文件：629.46 Kbytes Page：9 Pages	丝印：K3R9E10PL；Package：TO-220；MOSFETs Silicon N-channel MOS 1. Applications • High-Efficiency DC-DC Converters • Switching Voltage Regulators • Motor Drivers 2. Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge: QSW = 26 nC (typ.) (3) Small output charge: Qoss = 99 nC (typ.) (4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.3 mΩ (typ.) (VGS = 文件：629.46 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
On Request*
Product Type：
PNP
IC (A)：
0.1 A
ICM (A)：
N/A A
PD (W)：
0.2 W
hFE (min)：
40 Min
hFE(@ IC)：
0.01 A
hFE(Min 2)：
25
hFE(@ IC2)：
0.03 A
VCE (SAT)Max (mV)：
500 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
0.15/15
fT (MHz)：
50
VCE (SAT)(Max.2)：
N/A mV
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
SOT323

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