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TK3R1A04PL	文件：288.93 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor •DESCRITION •SwitchingVoltageRegulators •FEATURES •Lowdrain-sourceon-resistance: RDS(ON)=2.5mΩ(typ.)(VGS=10V) •Enhancementmode: Vth=1.4to2.4V(VDS=10V,ID=0.5mA) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandrelia	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TK3R1A04PL	文件：438.8 Kbytes Page：9 Pages	High-Efficiency DC-DC Converters Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=17.5nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=42nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=2.5mΩ(typ.)(VGS=10V) (5)Lowleakagecurrent:IDSS=10µA(max)(VDS=40V) (6)Enhancementmode:Vth=1.4to2.4	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TK3R1A04PL	文件：497.25 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon N-channel MOS 1.Applications •High-EfficiencyDC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators •MotorDrivers 2.Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=17.5nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=42nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=2.5mΩ(typ.)(VGS	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TK3R1A04PL_V01	文件：497.25 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon N-channel MOS 1.Applications •High-EfficiencyDC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators •MotorDrivers 2.Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=17.5nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=42nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=2.5mΩ(typ.)(VGS	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
ITK3R1A04PL	文件：288.93 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •SwitchingVoltageRegulators •FEATURES •Lowdrain-sourceon-resistance: RDS(ON)=2.5mΩ(typ.)(VGS=10V) •Enhancementmode: Vth=1.4to2.4V(VDS=10V,ID=0.5mA) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandrelia	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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