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TK3R2A10PL	文件：728.52 Kbytes Page：9 Pages	High-Efficiency DC-DC Converters Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=48nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=164nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=2.6mΩ(typ.)(VGS=10V) (5)Lowleakagecurrent:IDSS=10µA(max)(VDS=100V) (6)Enhancementmode:Vth=1.5to2.5	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TK3R2A10PL	文件：626.49 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon N-channel MOS 1.Applications •High-EfficiencyDC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators •MotorDrivers 2.Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=48nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=164nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=2.6mΩ(typ.)(VGS	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
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High-Efficiency DC-DC Converters

Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=48nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=164nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=2.6mΩ(typ.)(VGS=10V) (5)Lowleakagecurrent:IDSS=10µA(max)(VDS=100V) (6)Enhancementmode:Vth=1.5to2.5

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MOSFETs Silicon N-channel MOS

1.Applications •High-EfficiencyDC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators •MotorDrivers 2.Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=48nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=164nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=2.6mΩ(typ.)(VGS

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MOSFETs Silicon N-channel MOS

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