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TK3R2A08QM	文件：490.55 Kbytes Page：9 Pages	丝印：K3R2A08QM；Package：TO-220SIS；MOSFETs Silicon N-channel MOS 文件：490.55 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK3R3E08QM	文件：499.13 Kbytes Page：9 Pages	丝印：K3R3E08QM；Package：TO-220；MOSFETs Silicon N-channel MOS 文件：499.13 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
K3RG4G40MM-MGCJ	文件：300 bytes Page：1 Pages	LPDDR4 • Serving Less Size, More Density \n• High Performance, Striking Results\n• Less Charging, More Enjoying;	Samsung 三星	Samsung
K3RG5G50MM-FGCJ	文件：300 bytes Page：1 Pages	LPDDR4 • Serving Less Size, More Density \n• Less Charging, More Enjoying\n;	Samsung 三星	Samsung
K3RG6G60MM-MGCJ	文件：300 bytes Page：1 Pages	LPDDR4 • Serving Less Size, More Density \n• High Performance, Striking Results\n• Less Charging, More Enjoying;	Samsung 三星	Samsung

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
On Request*
Product Type：
PNP
IC (A)：
0.1 A
ICM (A)：
N/A A
PD (W)：
0.2 W
hFE (min)：
40 Min
hFE(@ IC)：
0.01 A
hFE(Min 2)：
25
hFE(@ IC2)：
0.03 A
VCE (SAT)Max (mV)：
500 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
0.15/15
fT (MHz)：
50
VCE (SAT)(Max.2)：
N/A mV
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
SOT323

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