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TK3R2A10PL中文资料东芝数据手册PDF规格书

TK3R2A10PL
厂商型号

TK3R2A10PL

功能描述

MOSFETs Silicon N-channel MOS

丝印标识

K3R2A10PL

封装外壳

TO-220SIS

文件大小

626.49 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
TOSHIBA
数据手册

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更新时间

2025-8-4 18:35:00

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TK3R2A10PL规格书详情

1. Applications

• High-Efficiency DC-DC Converters

• Switching Voltage Regulators

• Motor Drivers

2. Features

(1) High-speed switching

(2) Small gate charge: QSW = 48 nC (typ.)

(3) Small output charge: Qoss = 164 nC (typ.)

(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.6 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

(5) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 100 V)

(6) Enhancement mode: Vth = 1.5 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

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