TK3R1P04PL中文资料东芝数据手册PDF规格书

厂商型号	TK3R1P04PL
功能描述	MOSFETs Silicon N-channel MOS
丝印标识	TK3R1P04PL
封装外壳	DPAK
文件大小	501.63 Kbytes
页面数量	9 页
生产厂商	TOSHIBA
中文名称	东芝
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更新时间	2025-8-6 20:10:00
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1. Applications

• High-Efficiency DC-DC Converters

• Switching Voltage Regulators

• Motor Drivers

2. Features

(1) High-speed switching

(2) Small gate charge: QSW = 19 nC (typ.)

(3) Small output charge: Qoss = 42 nC (typ.)

(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.5 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

(5) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 40 V)

(6) Enhancement mode: Vth = 1.4 to 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)

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