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IXTH3N100

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 3.0A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 1000V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and AC-DC motor controls

文件:322.3 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IXTH3N100P

Polar VHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

文件:155.83 Kbytes 页数:4 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTH3N100P

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:336.58 Kbytes 页数:7 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTH3N100P

N通道标准 Polar™ MOSFET

• 国际标准包装 \n• 动态dv/dt评级\n• 较低的RDS(on)和Qg\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感;

Littelfuse

力特

详细参数

  • 型号:

    IXTH3N100

  • 功能描述:

    MOSFET 3 Amps 1000V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IXTH3N100供应商 更新时间2026-4-20 17:12:00