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IXST30N60CD1

Short Circuit SOA Capability

IGBT/DiodeCombi-Pack SserieswithSCSOAcapability

IXYS

IXYS Corporation

IXST30N60CD1

Short Circuit Rated PT IGBTs; ·VCES :600V and 1200V\n·SCSOA capability\n·10 us short circuit withstand capability\n·B and B2 Class IGBTs with lower VCE (sat) optimized for Low to Medium Speed Applications\n;

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

IXSH30N60CD1

ShortCircuitSOACapability

IGBT/DiodeCombi-Pack SserieswithSCSOAcapability

IXYS

IXYS Corporation

IXSK30N60CD1

ShortCircuitSOACapability

IGBT/DiodeCombi-Pack SserieswithSCSOAcapability

IXYS

IXYS Corporation

IXTA3N120

IXYS/艾赛斯
TO-263

IXYS/艾赛斯

相关企业:深圳市得捷芯城科技有限公司

IXYS/艾赛斯

详细参数

  • 型号:

    IXST30N60CD1

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 55 Amps 600V 2.5 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS
23+
NA
19960
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IXYS
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TO268
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更多IXST30N60CD1供应商 更新时间2025-7-30 9:02:00