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IXSH30N60CD1分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
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厂商型号 |
IXSH30N60CD1 |
参数属性 | IXSH30N60CD1 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 55A 200W TO247AD |
功能描述 | Short Circuit SOA Capability |
封装外壳 | TO-247-3 |
文件大小 |
72.89 Kbytes |
页面数量 |
2 页 |
生产厂商 | IXYS Corporation |
企业简称 |
IXYS |
中文名称 | IXYS Corporation官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-5 10:11:00 |
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IXSH30N60CD1规格书详情
IXSH30N60CD1属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由IXYS Corporation制造生产的IXSH30N60CD1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
IGBT/Diode Combi-Pack
S series with SCSOA capability
产品属性
更多- 产品编号:
IXSH30N60CD1
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.5V @ 15V,30A
- 开关能量:
700µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
30ns/90ns
- 测试条件:
480V,30A,4.7 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247AD
- 描述:
IGBT 600V 55A 200W TO247AD
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
21+ |
TO247 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
17+ |
TO-247 |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
IXYS |
25+ |
TO-247-3 |
9350 |
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IXYS |
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IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
50000 |
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IXYS/艾赛斯 |
24+ |
NA/ |
5425 |
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IXYS |
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IXYS/艾赛斯 |
22+ |
TO-247 |
25000 |
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IXYS/艾赛斯 |
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TO-247 |
55300 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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IXYS |
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原厂原装 |
4300 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 |