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IXSH30N60AU1分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
厂商型号 |
IXSH30N60AU1 |
参数属性 | IXSH30N60AU1 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 50A 200W TO247 |
功能描述 | Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode Combi Packs Short Circuit SOA Capability |
文件大小 |
82.71 Kbytes |
页面数量 |
6 页 |
生产厂商 | IXYS Integrated Circuits Division |
企业简称 |
IXYS |
中文名称 | IXYS Integrated Circuits Division官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-24 18:28:00 |
IXSH30N60AU1规格书详情
Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode
Combi Packs
Short Circuit SOA Capability
Features
• International standard package JEDEC TO-247 AD
• High frequency IGBT with guaranteed Short Circuit SOA capability
• IGBT and anti-parallel FRED in one package
• 2nd generation HDMOSTM process
• Low VCE(sat)
- for low on-state conduction losses
• MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Applications
• AC motor speed control
• DC servo and robot drives
• DC choppers
• Uninterruptible power supplies (UPS)
• Switch-mode and resonant-mode power supplies
Advantages
• Space savings (two devices in one package)
• Easy to mount with 1 screw (isolated mounting screw hole)
• Reduces assembly time and cost
• High power density
IXSH30N60AU1属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的IXSH30N60AU1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号:
IXSH30N60AU1
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
3V @ 15V,30A
- 开关能量:
2.5mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
60ns/400ns
- 测试条件:
480V,30A,4.7 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247AD
- 描述:
IGBT 600V 50A 200W TO247
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
TO247 |
58000 |
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IXYS/艾赛斯 |
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IXYS/艾赛斯 |
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