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IS43DR16640A-3DBL	文件：855.01 Kbytes Page：28 Pages	Clock frequency up to 400MHz 文件：855.01 Kbytes 页数：28 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS43DR16640A-3DBL	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：84-TFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16640C	文件：1.5625 Mbytes Page：49 Pages	Differential data strobe 文件：1.5625 Mbytes 页数：49 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS43DR81280B-25DBL	文件：0 bytes Page：0 Pages	BGA60	ISSI 矽成半导体上传：深圳市宇创芯科技有限公司	ISSI
IS43LR16320B-6BL	文件：0 bytes Page：0 Pages	BGA-60	ISSI 矽成半导体上传：深圳市宇创芯科技有限公司	ISSI

产品属性

产品编号：
IS43DR16640A-3DBL
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
DRAM
技术：
SDRAM - DDR2
存储容量：
1Gb（64M x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
15ns
电压 - 供电：
1.7V ~ 1.9V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
84-TFBGA
供应商器件封装：
84-TWBGA（8x13.65）
描述：
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA

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