| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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9年
留言
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10000 |
26+ |
原装现货库存,量多可订货 |
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4年
留言
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ISSIBGA |
7850 |
24+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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10年
留言
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ISSI, Integrated Silicon Solut |
16500 |
24+25+ |
全新原厂原装现货!受权代理!可送样可提供技术支持! |
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8年
留言
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ISSIBGA-60 |
6898 |
24+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
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9年
留言
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ISSIFBGA |
28942 |
最新批次 |
原盒原标,正品现货 诚信经营 价格美丽 假一罚十 |
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3年
留言
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ISSI/矽成SOP |
7000 |
21+ |
正品渠道现货,终端可提供BOM表配单。 |
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4年
留言
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ISSIBGA |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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10年
留言
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ISSIBGA |
20000 |
26+ |
原装进口ICMCUSOCMOS等知名国内外品牌只做原装全 |
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6年
留言
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ISSI, Integrated Silicon Solut |
18500 |
24+ 25+ |
全新原厂原装现货!受权代理!可送样可提供技术支持! |
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7年
留言
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ISSI(美国芯成)TWBGA-60(8x10.5) |
10548 |
26+ |
原厂订货渠道,支持账期,一站式服务! |
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3年
留言
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ISSI/芯成BGA |
12500 |
25+ |
深圳现货,保证原装 |
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16年
留言
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ISSI(美国芯成)原装 |
87271 |
26+ |
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ISSI(美国芯成)_IS43DR86400E-25DBL即刻询购立享优惠#长期有订 |
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2年
留言
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ISSIBGA |
26800 |
2526+ |
只做原装正品,为客户做到零风险 |
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13年
留言
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ISSI/芯成BGA |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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5年
留言
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INTEGRATEDSILICONSOLUTION |
5000 |
2022+ |
只做原装,价格优惠,长期供货。 |
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12年
留言
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ISSIBGA |
8850 |
2450+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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16年
留言
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ISSI(美国芯成)60-TFBGA |
24075 |
26+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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13年
留言
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ISSIBGA60 |
10000 |
25+ |
原厂原装,价格优势 |
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11年
留言
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ISSIBGA |
26800 |
2223+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
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4年
留言
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ISSIBGA |
6500 |
23+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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IS43DR86400D-3DBLI价格
IS43DR86400D-3DBLI价格:¥37.5467品牌:ISSI
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IS43DR86400E-25DBLI SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb 并联 400 MHz
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IS43DR86400D-25DBLI中文资料Alldatasheet PDF
更多IS43DR86400B-3DBL功能描述:动态随机存取存储器 512M(64Mx8) 333Mhz DDR2 1.8v RoHS:否 制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube
IS43DR86400B-3DBLI功能描述:动态随机存取存储器 512M(64Mx8) 333Mhz DDR2 1.8v RoHS:否 制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube
IS43DR86400B-3DBLI-TR功能描述:动态随机存取存储器 512M(64Mx8) 333Mhz DDR2 1.8v RoHS:否 制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube
IS43DR86400B-3DBL-TR功能描述:动态随机存取存储器 512M(64Mx8) 333Mhz DDR2 1.8v RoHS:否 制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube
IS43DR86400C-25DBL功能描述:动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 400Mhz 64Mx8 DDR2 RoHS:否 制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube
IS43DR86400C-25DBLI功能描述:动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 400Mhz 64Mx8 DDR2 RoHS:否 制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube
IS43DR86400C-25DBLI-TR功能描述:动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 400Mhz 64Mx8 DDR2 RoHS:否 制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube
IS43DR86400C-25DBL-TR功能描述:动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 400Mhz 64Mx8 DDR2 RoHS:否 制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube
IS43DR86400C-3DBL功能描述:动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 RoHS:否 制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube
IS43DR86400C-3DBLI功能描述:动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 RoHS:否 制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube

























