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IS43LR16400C_V01	文件：1.77736 Mbytes Page：42 Pages	1M x 16Bits x 4Banks Mobile DDR SDRAM Features • JEDEC standard 1.8V power supply. • VDD = 1.8V, VDDQ = 1.8V • Four internal banks for concurrent operation • MRS cycle with address key programs - CAS latency 2, 3 (clock) - Burst length (2, 4, 8, 16) - Burst type (sequential & interleave) • Fully differential clock inputs (CK, 文件：1.77736 Mbytes 页数：42 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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更多IS43LR16400C_V01供应商更新时间2025-11-28 15:33:00