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IS43DR16640C	文件：300 bytes Page：1 Pages	1.8V DDR2 SDRAM ·Single supply voltage of 1.8V ± 0.1V\n·SSTL_18 compatible inputs\n·Data masking per byte on Write commands\n·Programmable burst length of 4 or 8\n·Programmable CAS Latency of 3, 4, 5 or 6\n·Auto-Refresh and Self-Refresh Modes\n·OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)\n·ODT (On Die Termination) s	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS43DR16640C	文件：1.5625 Mbytes Page：49 Pages	Differential data strobe 文件：1.5625 Mbytes 页数：49 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS43DR16640C-25DBLI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：84-TFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16640C-25DBLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：84-TFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16640C-3DBI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：84-TFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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更多IS43DR16640C供应商更新时间2025-10-12 15:10:00