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IS43LR16320B-6BLI

8M x 16Bits x 4Banks Mobile DDR SDRAM

文件:2.26338 Mbytes 页数:42 Pages

ISSI

矽成半导体

IS43LR16320B-6BLI

动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 166Mhz 32Mx16 DDR Mobile

ISSI

矽成半导体

IS43LR16320B-6BLI

Package:60-TFBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LR16320B-6BLI-TR

Package:60-TFBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

产品属性

  • 产品编号:

    IS43LR16320B-6BLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - 移动 LPDDR

  • 存储容量:

    512Mb(32M x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    12ns

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    60-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    60-TFBGA(8x10)

  • 描述:

    IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA

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更多IS43LR16320B-6BLI供应商 更新时间2025-11-30 14:26:00