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IS43DR86400B

512Mb (x8, x16) DDR2 SDRAM

文件:760.42 Kbytes 页数:29 Pages

ISSI

矽成半导体

IS43DR86400B-25DBI

512Mb (x8, x16) DDR2 SDRAM

文件:729.31 Kbytes 页数:30 Pages

ISSI

矽成半导体

IS43DR86400B-25DBLI

512Mb (x8, x16) DDR2 SDRAM

文件:729.31 Kbytes 页数:30 Pages

ISSI

矽成半导体

IS43DR86400B-25EBLI

512Mb (x8, x16) DDR2 SDRAM

文件:729.31 Kbytes 页数:30 Pages

ISSI

矽成半导体

IS43DR86400B-37CBLI

512Mb (x8, x16) DDR2 SDRAM

文件:729.31 Kbytes 页数:30 Pages

ISSI

矽成半导体

IS43DR86400B-3DBL

512Mb (x8, x16) DDR2 SDRAM

文件:729.31 Kbytes 页数:30 Pages

ISSI

矽成半导体

IS43DR86400B-3DBLI

512Mb (x8, x16) DDR2 SDRAM

文件:729.31 Kbytes 页数:30 Pages

ISSI

矽成半导体

IS43DR86400B

512Mb (x8, x16) DDR2 SDRAM

ISSI

矽成半导体

详细参数

  • 型号:

    IS43DR86400B

  • 功能描述:

    动态随机存取存储器 512M(64Mx8) 333Mhz DDR2 1.8v

  • RoHS:

  • 制造商:

    ISSI

  • 数据总线宽度:

    16 bit

  • 组织:

    1 M x 16

  • 封装/箱体:

    SOJ-42

  • 存储容量:

    16 MB

  • 访问时间:

    50 ns

  • 电源电压-最大:

    7 V

  • 电源电压-最小:

    - 1 V

  • 最大工作电流:

    90 mA

  • 最大工作温度:

    + 85 C

  • 封装:

    Tube

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更多IS43DR86400B供应商 更新时间2025-12-12 16:31:00