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IRL630STRLPBFA	文件：265.88 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRL630STRRPBFA	文件：265.88 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLHM630	文件：268.37 Kbytes Page：2 Pages	SmallPowIRMOSFETs	IRF International Rectifier	IRF
IRLHM630PBF	文件：266.16 Kbytes Page：8 Pages	BatteryOperatedDCMotorInverterMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLHM630PBF	文件：241.21 Kbytes Page：9 Pages	BatteryOperatedDCMotorInverterMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLHM630TRPBF	文件：266.16 Kbytes Page：8 Pages	BatteryOperatedDCMotorInverterMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLI630A	文件：226.75 Kbytes Page：7 Pages	ADVANCEDPOWERMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.4Ω ID=9A FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦150°COperatingTemperature ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=200V ♦LowerRDS(ON):0.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRLI630A	文件：226.75 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.4Ω ID=9A FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦150°COperatingTemperature ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=200V ♦LowerRDS(ON):0.	IRF International Rectifier	IRF
IRLI630A	文件：274.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLI630G	文件：337.13 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.40ohm,Id=6.2A) VDSS=200V RDS(on)=0.40Ω ID=6.2A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalins	IRF International Rectifier	IRF

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