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IRL7833	文件：268.48 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPower MOSFET 文件：268.48 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRL7833	文件：339.07 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：339.07 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRL7833	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 TO-220 封装的 30V 单 N 沟道功率 MOSFET StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。 • 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化\n• 产品符合 JEDEC 标准\n• 行业标准通孔电源封装\n• 高额定电流;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRL7833L	文件：268.48 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPower MOSFET 文件：268.48 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRL7833LPBF	文件：274.23 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰Power MOSFET 文件：274.23 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRL7833PBF	文件：274.23 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰Power MOSFET 文件：274.23 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRL7833PBF	文件：275.19 Kbytes Page：13 Pages	High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power 文件：275.19 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRL7833PBF_15	文件：275.19 Kbytes Page：13 Pages	High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power 文件：275.19 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRL7833S	文件：268.48 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPower MOSFET 文件：268.48 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRL7833SPBF	文件：274.23 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰Power MOSFET 文件：274.23 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF

技术参数

Ptotmax：
140 W
Qgd：
13 nC
QG(typ @4.5V)：
32 nC
RDS (on)(@10V) max：
3.8 mΩ
RDS (on)(@4.5V) max：
4.5 mΩ
RthJCmax：
1.04 K/W
Tjmax：
175 °C
VDSmax：
30 V
VGS(th)：
1.85 V
VGSmax：
20 V
Mounting：
THT
Package：
TO-220
Operating Temperature：
-55 °C to 175 °C
Polarity：
N
Budgetary Price €/1k：
0.73

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