选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市富利微电子科技有限公司8年
留言
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IRTO263 |
33500 |
23+ |
全新进口原装现货,假一罚十 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
49 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO263 |
48 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市奥皇科技有限公司1年
留言
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Infineon/英飞凌D2PAK |
15798 |
22+ |
只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
深圳宏捷佳只供全新原装,真实库存,IR独立经销商,含增值税价格优势! |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IR/VISHAYSOT-263 |
6000 |
18+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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IRTO263 |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
28500 |
1415+ |
全新原装正品,优势热卖 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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IR原厂封装 |
350000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市宇集芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
90000 |
23+ |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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IR/VISHAYSOT-263 |
6000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
9852 |
1822+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRTO-263 |
8890 |
23+ |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRD2-Pak |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IR/VISHAYNA/ |
32365 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市莱克讯科技有限公司6年
留言
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IORTP-263 |
25689 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
IRL7833S采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRL7833S图片
IRL7833SPBF价格
IRL7833SPBF价格:¥4.6687品牌:INTERNATIONAL
生产厂家品牌为INTERNATIONAL的IRL7833SPBF多少钱,想知道IRL7833SPBF价格是多少?参考价:¥4.6687。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRL7833SPBF批发价格及采购报价,IRL7833SPBF销售排行榜及行情走势,IRL7833SPBF报价。
IRL7833S资讯
IRL7833S IR TO263 30V150A N沟道 MOS管
深圳市轩嘉盛电子有限公司IRL7833STO26330V150A
IRL7833S IRL540NPBF 大功率MOS管,现货库存,厂家直销,市场最低价
型号:IRL7833S 品牌:IR 类型:MOS管 描述MOSFETN-CH30V150AD2PAK 类别:分离式半导体产品 家庭:FET-单 系列:HEXFET® FET型:MOSFETN通道,金属氧化物 FET特点;逻辑电平门 漏极至源极电压
IRL7833S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL7833S功能描述:MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL7833SPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 150A 32nC 3.8mOhm Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL7833STRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 150A 32nC 3.8mOhm Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL7833STRRPBF功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube