| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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13年
留言
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IRTO-263 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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13年
留言
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IRTO263 |
33500 |
26+ |
全新进口原装现货,假一罚十 |
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15年
留言
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IRTO-263 |
38900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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12年
留言
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IRTO-263 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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8年
留言
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IR/VISHAYSOT-263 |
6000 |
18+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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13年
留言
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IRTO-263 |
9850 |
2450+ |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
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14年
留言
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IRTO-263 |
35890 |
26+ |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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17年
留言
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VISHAY原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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18年
留言
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IR |
10 |
25+ |
公司优势库存 热卖中! |
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1年
留言
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IR/VISHAYSOT-263 |
6000 |
26+ |
电子元器件采购降本 30%!砍掉中间差价! |
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13年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
89630 |
23+ |
当天发货全新原装现货 |
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3年
留言
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IR/VISHAYSOT-263 |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保障 |
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19年
留言
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IRTO263 |
8125 |
12+ |
全新 发货1-2天 |
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9年
留言
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ADTO-263 |
3000 |
25+ |
原盒原标,正品现货 诚信经营 价格美丽 假一罚十 |
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13年
留言
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IRTO-263 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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6年
留言
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IR/VISHAYSOT-263 |
6000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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1年
留言
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IR/VISHAYSOT-263 |
6000 |
26+ |
原厂渠道 可含税出货,支持一站式配单 |
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5年
留言
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Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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12年
留言
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IRTO-263 |
90000 |
26+ |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
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12年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
26+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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IRL7833S图片
IRL7833SPBF价格
IRL7833SPBF价格:¥4.6687品牌:INTERNATIONAL
生产厂家品牌为INTERNATIONAL的IRL7833SPBF多少钱,想知道IRL7833SPBF价格是多少?参考价:¥4.6687。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRL7833SPBF批发价格及采购报价,IRL7833SPBF销售排行榜及行情走势,IRL7833SPBF报价。
IRL7833S资讯
IRL7833S IR TO263 30V150A N沟道 MOS管
深圳市轩嘉盛电子有限公司 IRL7833S TO263 30V150A
IRL7833S IRL540NPBF 大功率MOS管,现货库存,厂家直销,市场最低价
型号:IRL7833S 品牌:IR 类型:MOS管 描述 MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK 类别:分离式半导体产品 家庭: FET - 单 系列:HEXFET® FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点; 逻辑电平门 漏极至源极电压
IRL7833S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL7833S功能描述:MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL7833SPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 150A 32nC 3.8mOhm Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL7833STRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 150A 32nC 3.8mOhm Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL7833STRRPBF功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

























