选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司12年
留言
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6500 |
2015+ |
公司现货库存 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
6499 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市芯巴巴科技有限公司2年
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IRTO220 |
3000 |
08+ |
只做原装 假一赔万 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
49 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
9865 |
23+/24+ |
专营品牌.原装正品.终端BOM表可配单 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
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IRTO-220 |
6000 |
24+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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9250 |
10+ |
TO-220-3 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO263 |
48 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市奥皇科技有限公司1年
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Infineon/英飞凌D2PAK |
15798 |
22+ |
只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
500 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市富利微电子科技有限公司8年
留言
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IRTO263 |
33500 |
23+ |
全新进口原装现货,假一罚十 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IR原厂封装 |
15850 |
22+ |
原装正品,实单请联系 |
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深圳市昊创电子有限公司12年
留言
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IRTO-220AB |
9450 |
2021+ |
原装现货。 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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INFINEON/IRTO-220-3 |
9250 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市桐芯微电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
2999 |
22+ |
专营INFINEON/英飞凌全新原装进口正品 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRTO-220 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-220 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
IRL7833采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRL7833图片
IRL7833SPBF价格
IRL7833SPBF价格:¥4.6687品牌:INTERNATIONAL
生产厂家品牌为INTERNATIONAL的IRL7833SPBF多少钱,想知道IRL7833SPBF价格是多少?参考价:¥4.6687。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRL7833SPBF批发价格及采购报价,IRL7833SPBF销售排行榜及行情走势,IRL7833SPBF报价。
IRL7833资讯
IRL7833S IR TO263 30V150A N沟道 MOS管
深圳市轩嘉盛电子有限公司IRL7833STO26330V150A
IRL7833S IRL540NPBF 大功率MOS管,现货库存,厂家直销,市场最低价
型号:IRL7833S 品牌:IR 类型:MOS管 描述MOSFETN-CH30V150AD2PAK 类别:分离式半导体产品 家庭:FET-单 系列:HEXFET® FET型:MOSFETN通道,金属氧化物 FET特点;逻辑电平门 漏极至源极电压
IRL7833中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL7833制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFETPower MOSFET
IRL7833L制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFETPower MOSFET
IRL7833LPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 150A 3.8mOhm 32nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL7833PBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 150A 32nV 3.8mOhm Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL7833S功能描述:MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL7833SPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 150A 32nC 3.8mOhm Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL7833STRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 150A 32nC 3.8mOhm Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL7833STRRPBF功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube