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IRL8114	文件：338.95 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.95 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRL8114	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装 \n优势:\n• 低RDS(ON) @ 4.5V VGS\n• 低栅极电荷\n• 经过充分验证的电容和雪崩安全工作区（ SOA）\n• 无铅;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRL8114PBF	文件：429.19 Kbytes Page：7 Pages	Optimized for UPS/Inverter Applications 文件：429.19 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRL8114PBF_15	文件：429.19 Kbytes Page：7 Pages	Optimized for UPS/Inverter Applications 文件：429.19 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF

技术参数

Package ：
TO-220
VDS max：
30.0V
RDS (on) max：
4.5mΩ
RDS (on)(@10V) max：
4.5mΩ
RDS (on)(@4.5V) max：
5.8mΩ
Polarity ：
N
ID max：
85.0A
ID (@ TC=100°C) max：
85.0A
ID (@ TC=25°C) max：
120.0A
Ptot max：
115.0W
QG ：
19.0nC
Mounting ：
THT
Tj max：
175.0°C
Qgd ：
6.7nC
RthJC max：
1.3K/W
VGS max：
20.0V

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