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IRLB3036 | N-Channel MOSFET Transistor 文件：339.2 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
IRLB3036 | 60V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 \n优势:\n• Optimized for broadest availability from distribution partners\n• Product qualification according to JEDEC standard\n• Logic level : Optimized for 10V gate-drive voltage (called Normal level), and capable of being driven at 4.5V gate-drive voltage\n• Industry standard through-hole power pac; | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
HEXFET Power MOSFET 文件：300.02 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | ||
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：290.24 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | ||
HEXFET Power MOSFET 文件：290.24 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | ||
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：290.24 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | ||
HEXFET Power MOSFET | Infineon 英飞凌 | Infineon |
技术参数
- OPN：
IRLB3036PBF
- Qualification：
Non-Automotive
- Package name：
TO220
- VDS max：
60 V
- RDS (on) @10V max：
2.4 mΩ
- RDS (on) @4.5V max：
2.8 mΩ
- ID @25°C max：
270 A
- QG typ @4.5V：
91 nC
- Polarity：
N
- VGS(th) min：
1 V
- VGS(th) max：
2.5 V
- VGS(th)：
1.75 V
- Technology：
IR MOSFET™
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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