INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features • Low VCE (ON) Trench IGBT Technology • Low switching losses • Maximum Junction temperature 175 °C • 5 µS short circuit SOA • Square RBSOA • 100 of the parts tested for 4X rated current (ILM) • Positive VCE (ON) Temperature co-efficient • Ultra fast soft Recovery Co-Pak Diode • T

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600V Low VCEon Copack IGBT in a D2-Pak package

600V 低 VCE(on) IGBT 与超快软恢复二极管联合封装到 D2 - 封装中 • 低 VCE (on) 沟槽栅 IGBT 技术\n• 低开关损耗\n• 最高结温为 175 °C\n• 5 μS 短路 SOA\n• 方形 RBSOA\n• 所有部件都接受过4倍的额定电流耐受测试 (ILM)\n• 正 VCE(ON) 温度系数\n• 参数分布紧凑\n• 无铅\n\n优势:\n• 在广泛的应用领域都能发挥高效率\n• 由于 VCE (ON) 低且开关损耗低，所以适合在众多开关频率应用中使用\n• 强健的瞬态性能提升可靠性\n• 并联工作时电流共享表现出色\n• 低 EMI;

Infineon

英飞凌