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IRGS4045DPbF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH UL TRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

IRGS4045DPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGS4045DPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGS4045DPDF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH UL TRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGS4045DTRLPbF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH UL TRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGS4045DTRRPbF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH UL TRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGS4045D

600V Low VCEon Copack IGBT in a D2-Pak package

Infineon

英飞凌

IRGS4045DPBF

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 12A 77W D2PAK

INFINEON

英飞凌

IRGS4045DTRLPBF

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 12A 77W D2PAK

INFINEON

英飞凌

IRGS4045DTRRPBF

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 12A 77W D2PAK

INFINEON

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IRGS4045DPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,6A

  • 开关能量:

    56µJ(开),122µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    27ns/75ns

  • 测试条件:

    400V,6A,47 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    D²PAK

  • 描述:

    IGBT 600V 12A 77W D2PAK

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TO-263
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更多IRGS4045D供应商 更新时间2026-3-26 14:31:00