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IRGPS40B120UP	文件：111.07 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Non Punch Through IGBT Technology. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Super-247 Package. • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transient Performance. • Low EMI. • Significantly Less 文件：111.07 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRGPS40B120UP	文件：116.36 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Non Punch Through IGBT Technology. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Super-247 Package. • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transient Performance. • Low EMI. • Significantly Less 文件：116.36 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRGPS40B120UP	文件：116.36 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：116.36 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRGPS40B120UPBF	文件：116.36 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Non Punch Through IGBT Technology. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Super-247 Package. • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transient Performance. • Low EMI. • Significantly Less 文件：116.36 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRGPS40B120UP_15	文件：116.36 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：116.36 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRGPS40B120UPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-274AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 80A 595W SUPER247	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRGPS40B120UP
制造商：
IRF
制造商全称：
International Rectifier
功能描述：
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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