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IRGBC20K	文件：255.1 Kbytes Page：6 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=6.0A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRGBC20KD2	文件：430.85 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=6.0A) Description Co-packagedIGBTsareanaturalextensionofInternationalRectifierswellknownIGBTline.TheyprovidetheconvenienceofanIGBTandanultrafastrecoverydiodeinonepackage,resultinginsubstantialbenefitstoahostofhigh-voltage,high-current,applications. Thesenewshort	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRGBC20K-S	文件：258.37 Kbytes Page：6 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=6.0A) ShortCircuitRatedUltraFastFastIGBT Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyp	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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详细参数

型号：
IRGBC20K
制造商：
IRF
制造商全称：
International Rectifier
功能描述：
Fit Rate/Equivalent Device Hours

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