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G4BC30UD	文件：234.03 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.95V,@Vge=15V,Ic=12A) Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-	IRF International Rectifier	IRF
G4BC30W	文件：139.38 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)max.=2.70V,@Vge=15V,Ic=12A) Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications •Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconductionlosses •Latest-generationIGBTdesign	IRF International Rectifier	IRF
G4BC30W	文件：275.6 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
G4BC30W	文件：287.76 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30	文件：412.64 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.59V,@Vge=15V,Ic=17A) Features •Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-s	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30	文件：137.95 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30	文件：167.27 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.59V,@Vge=15V,Ic=17A) Features •Fast:optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Generation4IGBTsoff	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30F	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30F	文件：167.27 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.59V,@Vge=15V,Ic=17A) Features •Fast:optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Generation4IGBTsoff	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30F	文件：177.75 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF

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详细参数

型号：
IRG4BC30WS
制造商：
IRF
制造商全称：
International Rectifier
功能描述：
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.10V, @Vge=15V, Ic=12A)

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