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IRG4BC20S	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V DC-1 kHz（标准）分立 IGBT，采用 TO-220AB 封装	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4BC20S	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 19A 60W TO220AB	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4BC20SD	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V DC-1 kHz (Standard) Copack IGBT in a TO-220AB package	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4BC20SD-S	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V DC-1 kHz (Standard) Copack IGBT in a D2-Pak package	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4BC20SDPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 19A 60W TO220AB	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4BC20SPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 19A TO220AB	Infineon 英飞凌	Infineon

产品属性

产品编号：
IRG4BC20S
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.6V @ 15V，10A
开关能量：
120µJ（开），2.05mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
27ns/540ns
测试条件：
480V，10A，50 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220AB
描述：
IGBT 600V 19A 60W TO220AB

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