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IRFZ24A	文件：221.31 Kbytes Page：7 Pages	ADVANCED POWER MOSFET FEATURES ♦Avalanche Rugged Technology ♦Rugged Gate Oxide Technology ♦Lower Input Capacitance ♦Improved Gate Charge ♦Extended Safe Operating Area ♦175°C Operating Temperature ♦Lower Leakage Current: 10µA (Max.) @ VDS= 60V ♦Lower RDS(ON): 0.050µ(Typ.) 文件：221.31 Kbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
IRFZ24A	文件：300 bytes Page：1 Pages	ADVANCED POWER MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
IRFZ24N	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-247	IR 国际整流器上传：深圳市勤思达科技有限公司	IR
IRFZ24N	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220	IR 国际整流器上传：深圳市凌旭科技有限公司	IR
IRFZ24NMOS(场效应管)	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220	IR 国际整流器上传：深圳庞田科技有限公司	IR

详细参数

型号：
IRFZ24A
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
ADVANCED POWER MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星佑电子有限公司	IRFZ24A	SMG	05+	原厂原装	91	只做全新原装真实现货供应	询价
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更多IRFZ24A供应商更新时间2025-12-12 14:21:00

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