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IRFZ44ELPBF	文件：230.61 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：230.61 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFZ44ELPBF	文件：239.75 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：239.75 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
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型号：
IRFZ44ELPBF
制造商：
International Rectifier
功能描述：
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 0.023Ohm;ID 48A;TO-262;PD 110W;VGS +/-20V
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 60V 48A 3PIN TO-262 - Rail/Tube
功能描述：
MOSFET N
功能描述：
MOSFET N-Channel 60V 48A TO262
制造商：
IR
功能描述：
Single N-Channel 60 V 110 W 60 nC Hexfet Power Mosfet Through Hole - TO-262-3

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