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IRFZ34E

HEXFET POWER MOSFET

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, p

文件:120.73 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRFZ34EPBF

HEXFET짰 Power MOSFET

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, p

文件:1.90603 Mbytes 页数:9 Pages

IRF

IRFZ34E

HEXFET POWER MOSFET

Infineon

英飞凌

IRFZ44N

TO-220

IRFZ44NPbF

TO-220

INFINEON

英飞凌

上传:深圳市联世界科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    IRFZ34E

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 60V 28A TO-220AB

  • RoHS:

    否

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    HEXFET®

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
17+
TO-220AB
31518
原装正品 可含税交易
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IR
24+
TO-220AB
8866
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TO-220-3
11846
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IR/VISHAY
20+
TO-220
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
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25+
TO-220
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2118
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全新原装正品现货,支持订货
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IR/VISHAY
25+
TO-220
10000
原装现货假一罚十
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TO220
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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Infineon Technologies
2022+
TO-220-3
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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