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IRFZ34L	文件：285.05 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFZ34L	文件：1.00883 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFZ34L	文件：420.7 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES •Advancedprocesstechnology •Surfacemount •Low-profilethrough-hole(IRFZ34L,SiHFZ34L) •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformationa	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFZ34L	文件：355.44 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFZ34LPBF	文件：1.00883 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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详细参数

型号：
IRFZ34L
功能描述：
MOSFET N-CH 60V 30A TO-262
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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更多IRFZ34L供应商更新时间2024-5-15 15:47:00

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