选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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5200 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
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IRSOT263 |
800 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
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IRTO-263 |
363 |
01+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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Vishay SiliconixTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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IRSOT-263 |
7650 |
20+/21+ |
全新原装现货 |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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IR原厂原装 |
1305 |
360000 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Vishay SiliconixTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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IR/International Rectifier/国TO-263 |
363 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRFSOT263 |
9000 |
23+ |
专业优势供应 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IRTO-263 |
35890 |
23+ |
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深圳宇航军工半导体有限公司11年
留言
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NA |
75111 |
19+ |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂; |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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IRTO252 |
5790 |
1845+ |
只做原装!量大可以订货!特价支持实单! |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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IRTO-263 |
4675 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Vishay SiliconixTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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上海磐岳电子有限公司6年
留言
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IR |
5800 |
2023+ |
进口原装,现货热卖 |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
30000 |
2022+ |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
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艾睿国际(香港)有限公司2年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世D2PAK |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
IRFZ34S采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRFZ34S图片
IRFZ34S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFZ34S功能描述:MOSFET N-Chan 60V 30 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ34S_11制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFZ34SPBF制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V - Tape and Reel
IRFZ34STRL功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFZ34STRLPBF功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFZ34STRR功能描述:MOSFET N-Chan 60V 30 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ34STRRPBF制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET