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IRFZ44R	文件：1.24175 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Advanced Power MOSFETs from Vishay utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an ext 文件：1.24175 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFZ44R	文件：1.24363 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Advanced process technology • Ultra low on-resistance • Dynamic dV/dt rating • 175 °C operating temperature • Fast switching • Fully avalanche rated • Drop in replacement of the IRFZ44, SiHFZ44 for linear / audio applications • Material categorization: for definitions of compli 文件：1.24363 Mbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFZ44R	文件：153.64 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=50*A) Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, p 文件：153.64 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFZ44R	文件：1.36837 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.36837 Mbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFZ44R	文件：1.29269 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.29269 Mbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFZ44R	文件：1.29269 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.29269 Mbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFZ44R_V02	文件：1.24363 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Advanced process technology • Ultra low on-resistance • Dynamic dV/dt rating • 175 °C operating temperature • Fast switching • Fully avalanche rated • Drop in replacement of the IRFZ44, SiHFZ44 for linear / audio applications • Material categorization: for definitions of compli 文件：1.24363 Mbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFZ44RPBF	文件：226.79 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, p 文件：226.79 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFZ44RPBF	文件：1.24175 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Advanced Power MOSFETs from Vishay utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an ext 文件：1.24175 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFZ44R_11	文件：1.29269 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.29269 Mbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

详细参数

型号：
IRFZ44R
功能描述：
MOSFET N-Chan 60V 50 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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