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IRFZ44R	文件：153.64 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=50*A) Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRFZ44R	文件：1.24175 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION AdvancedPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanext	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFZ44R	文件：1.24363 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •Advancedprocesstechnology •Ultralowon-resistance •DynamicdV/dtrating •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Fullyavalancherated •DropinreplacementoftheIRFZ44,SiHFZ44forlinear/ audioapplications •Materialcategorization:fordefinitionsofcompli	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFZ44R	文件：1.29269 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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IRFZ44R	文件：1.36837 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFZ44R_V02	文件：1.24363 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •Advancedprocesstechnology •Ultralowon-resistance •DynamicdV/dtrating •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Fullyavalancherated •DropinreplacementoftheIRFZ44,SiHFZ44forlinear/ audioapplications •Materialcategorization:fordefinitionsofcompli	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFZ44RPBF	文件：226.79 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRFZ44RPBF	文件：1.24175 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION AdvancedPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanext	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFZ44R_11	文件：1.29269 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRFZ44R
功能描述：
MOSFET N-Chan 60V 50 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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