| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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12年
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INFINEONTO236 |
800 |
24+ |
十二年VIP会员·原装认证现货公司库存 |
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13年
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IRTO-220 |
9600 |
25+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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5年
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IRTO-220 |
10000 |
25+ |
原装现货假一罚十 |
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5年
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
395 |
22+ |
原装现货 |
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15年
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IRTO-220 |
38900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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1年
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IRTO-220 |
10 |
26+ |
电子元器件采购降本 30%!砍掉中间差价！ |
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13年
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IRTO-220 |
9600 |
25+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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13年
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IRTO-220-3 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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11年
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
26800 |
2223+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
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5年
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IRTO-220 |
2000 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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14年
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IRTO-220 |
35890 |
26+ |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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6年
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5年
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终端可免费供样,支持BOM配单 |
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2年
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
26800 |
2526+ |
只做原装正品,为客户做到零风险 |
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6年
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IRTO-220 |
31500 |
23+ |
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21年
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IRTO-220 |
4500 |
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十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
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10年
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IR原厂封装 |
1659 |
24+ |
原装现货假一罚十 |
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6年
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IRTO-220 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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1年
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
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IRFZ44EPBF价格：￥2.6447品牌：INTERNATIONAL
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IRFZ44E中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFZ44E功能描述:MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFZ44E-004HR制造商:International Rectifier 功能描述:HI-REL DISCRETE - Rail/Tube
IRFZ44EHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 48A 3PIN TO-220AB - Bulk
IRFZ44EL功能描述:MOSFET N-CH 60V 48A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFZ44EL-103HR制造商:International Rectifier 功能描述:HI-REL DISCRETE - Rail/Tube
IRFZ44ELHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-262 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 48A 3PIN TO-262 - Bulk
IRFZ44ELPBF制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 0.023Ohm;ID 48A;TO-262;PD 110W;VGS +/-20V 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 48A 3PIN TO-262 - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N-Channel 60V 48A TO262 制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 60 V 110 W 60 nC Hexfet Power Mosfet Through Hole - TO-262-3
IRFZ44EPBF功能描述:MOSFET MOSFT 60V 48A 23mOhm 40nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ44ES功能描述:MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFZ44ESPBF功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 40nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
