| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-220 |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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SILICONIXVISHAYNA |
1000 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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IRTO263 |
6700 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRT0-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
89950 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
留言
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VishaySiliconixTO-263-3 |
65500 |
2019+ |
D2Pak(2Leads+Tab) |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Vishay SiliconixTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
30000 |
2022+ |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司8年
留言
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IORTO263 |
66 |
02+ |
现货 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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IRTO-263 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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IRTO |
4500 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
15000 |
12+ |
全新原装,绝对正品,公司现货供应。 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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IRFNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市鼎欣微电子有限公司4年
留言
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IRTO-263 |
30000 |
21+ |
只做正品原装现货 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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IRTO-263 |
20000 |
23+ |
原装正品 欢迎咨询 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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VBsemiTO263 |
50000 |
21+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IRTO-263 |
35890 |
23+ |
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天津市博通航睿技术有限公司1年
留言
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IRTO-263 |
691 |
1932+ |
全新原装 实单必成 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
IRFZ24S采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFZ24S图片
IRFZ24SPBF/BKN价格
IRFZ24SPBF/BKN价格：￥6.5383品牌：Vishay / Semiconductor
生产厂家品牌为Vishay / Semiconductor的IRFZ24SPBF/BKN多少钱，想知道IRFZ24SPBF/BKN价格是多少？参考价：￥6.5383。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFZ24SPBF/BKN批发价格及采购报价，IRFZ24SPBF/BKN销售排行榜及行情走势，IRFZ24SPBF/BKN报价。
IRFZ24S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFZ24S功能描述:MOSFET N-Chan 60V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ24SPBF功能描述:MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFZ24STRL功能描述:MOSFET N-Chan 60V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ24STRLPBF制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V - Tape and Reel
IRFZ24STRR功能描述:MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
